CONTROLLING THE GROWTH OF PERFECT, VARIABLE-BAND GAAS ALXGA1-XAS HETEROSTRUCTURES

被引：0
作者：
GAPONENKO, VN
LUNIN, LS
LUNINA, OD
RATUSHNYI, VI
机构：
来源：
INORGANIC MATERIALS | 1987年 / 23卷 / 07期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
收藏
页码：979 / 982
页数：4
相关论文
共 10 条
[1]  
Alferov Zh. I., 1970, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, V4, P2378
[2]  
ALFEROV ZI, 1972, SEMICONDUCTOR DEVICE, P204
[3]  
ANDREEV VM, 1975, LIQUID PHASE EPITAXY, P327
[4]   EFFICIENT ELECTROLUMINESCENCE FROM ZINC-DIFFUSED GA1-XALXAS DIODES AT 25 DEGREES C [J].
DIERSCHK.EG ;
STONE, LE ;
HAISTY, RW .
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1971, 19 (04) :98-&
[5]  
DRUZHININA LV, 1974, ZH TEKH FIZ+, V44, P1499
[6]   Thin Alloy Zone Crystallisation [J].
Hurle, D. T. J. ;
Mullin, J. B. ;
Pike, E. R. .
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1967, 2 (01) :46-62
[7]  
LOZOVSKII VN, 1979, IZV AKAD NAUK SSSR N, V15, P1913
[8]  
LOZOVSKII VN, 1980, IAN SSSR NEORG MATER, V16, P213
[9]  
LUNINA OD, 1982, THESIS ROSTOV STATE
[10]  
NALIMOV VC, 1965, STATISTICAL METHODS
1