GAAS FETS WITH SILICON-IMPLANTED CHANNELS

被引：7

作者：

KUNG, JK ^{[1
]}

MALBON, RM ^{[1
]}

LEE, DH ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES AIRCRAFT CO,TORRANCE RES CTR,TORRANCE,CA 90509

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19770137

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：187 / 188

页数：2

相关论文

共 3 条

[1] ION-IMPLANTED MICROWAVE FIELD-EFFECT TRANSISTORS IN GAAS [J].

HUNSPERGER, RG ;

HIRSCH, N .

[2] ANNEALING OF ION-IMPLANTED GAAS IN A CONTROLLED ATMOSPHERE [J].

MALBON, RM ;

LEE, DH ;

WHELAN, JM .

MIZUTANI, T ;

ISHIDA, S ;

FUJIMOTO, M .