HALL DRIFT MOBILITIES - THEIR RATIO AND TEMPERATURE DEPENDENCE IN SEMICONDUCTORS

被引：31

作者：

BLATT, FJ

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1957年 / 105卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.105.1203

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1203 / 1205

页数：3

相关论文

共 4 条

[1]

BLATT FJ, UNPUBLISHED

[2]

Brooks H., 1955, ADV ELECTRONICS ELEC, V7, P87

[3] ELECTRICAL PROPERTIES OF N-TYPE GERMANIUM [J].

DEBYE, PP ;

CONWELL, EM .

PHYSICAL REVIEW, 1954, 93 (04) :693-706

[4] IMPURITY SCATTERING IN SEMICONDUCTORS [J].

MANSFIELD, R .

PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B, 1956, 69 (01) :76-82