1ST ROOM-TEMPERATURE CW OPERATION OF A GAINASP-INP LIGHT-EMITTING DIODE ON A SILICON SUBSTRATE

被引：18

作者：

RAZEGHI, M ^{[1
]}

BLONDEAU, R ^{[1
]}

DEFOUR, M ^{[1
]}

OMNES, F ^{[1
]}

MAUREL, P ^{[1
]}

BRILLOUET, F ^{[1
]}

机构：

[1] CTR NATL ETUD TELECOMMUN,F-92220 BAGNEUX,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.100093

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：854 / 855

页数：2

共 3 条

DEPPE, DG ;

HOLONYAK, N ;

NAM, DW ;

HSIEH, KC ;

JACKSON, GS ;

MATYI, RJ ;

SHICHIJO, H ;

EPLER, JE ;

CHUNG, HF .

RAZEGHI, M ;

OMNES, F ;

DEFOUR, M ;

MAUREL, P .

SHASTRY, SK ;

ZEMON, S ;

OREN, M .