ARF LASER-INDUCED EPITAXIAL-GROWTH OF GAAS FILMS ON GAAS AND SI SUBSTRATES USING ELEMENTAL ARSENIC

被引：0

作者：

CHU, SS ^{[1
]}

CHU, TL ^{[1
]}

GREEN, RF ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV S FLORIDA,DEPT ELECT ENGN,TAMPA,FL 33620

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1990年 / 19卷 / 07期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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