SILICON-NICKEL SILICIDE HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：0

作者：

BEAN, JC ^{[1
]}

POATE, JM ^{[1
]}

CHIU, KCR ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1980年 / 27卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.20212

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：2190 / 2190

页数：1

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