STATE-OF-THE-ART ION-IMPLANTED LOW-NOISE GAAS-MESFETS AND HIGH-PERFORMANCE MONOLITHIC AMPLIFIERS

被引：0

作者：

WANG, KG

WANG, SK

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES | 1987年 / 35卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1987.1133881

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1501 / 1506

页数：6

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共 21 条

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WANG SK, 1986, 1986 P IEEE MICR MIL, P5