DAMAGE EFFECTS IN BORON AND BF2 ION-IMPLANTED P+-N JUNCTIONS IN SILICON

被引：16

作者：

MACIVER, BA ^{[1
]}

GREENSTEIN, E ^{[1
]}

机构：

[1] GM CORP,RES LABS,WARREN,MI 48090

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2133278

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：273 / 275

页数：3

共 10 条

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