STATISTICAL VARIATIONS IN FAILURE THRESHOLDS OF SILICON NPN TRANSISTORS SUBJECTED TO ELECTRICAL OVERSTRESS

被引：4

作者：

ALEXANDER, DR ^{[1
]}

ENLOW, EW ^{[1
]}

KARASKIEWICZ, RJ ^{[1
]}

机构：

[1] BDM CORP,ALBUQUERQUE,NM 87106

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1980年 / 27卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1980.4331088

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1680 / 1687

页数：8

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共 3 条

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