CHARACTERISTICS OF AUGENI OHMIC CONTACTS TO GAAS

被引：1

作者：

HEIBLUM, M ^{[1
]}

NATHAN, MI ^{[1
]}

CHANG, CA ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1981年 / 28卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1981.20555

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1234 / 1235

页数：2

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共 3 条

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