TEMPERATURE-DEPENDENCE OF SURFACE-MORPHOLOGY OF CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION GROWN GE ON GE SUBSTRATES

被引：1
作者：
AHARONI, H
机构：
来源：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1990年 / 8卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1116/1.584932
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：1141 / 1147
页数：7
相关论文
共 3 条
[1]  
AHARONI H, 1986, J VAC SCI TECHNOL A, V4, P2484
[2]  
ROTH EA, 1963, RCA REV, V24, P449
[3]   EFFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON EPITAXIAL GROWTH [J].
TUNG, SK .
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1965, 112 (04) :436-&
1