ELECTRICAL BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF LPCVD SILICON DIOXIDE

被引：0

作者：

PADMANABHAN, R ^{[1
]}

机构：

[1] MOTOROLA INC,PHYS ELECTR & PACKAGING LAB,PHOENIX,AZ 85008

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1987年 / 134卷 / 8B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C450 / C450

页数：1

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