ELLIPSOMETRIC PROFILING OF ION-IMPLANTATION INDUCED DAMAGE IN GAAS

被引：0

作者：

KIM, Q ^{[1
]}

PARK, YS ^{[1
]}

机构：

[1] USAF,AVION LAB,WRIGHT PATTERSON AFB,OH 45433

来源：

BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1979年 / 24卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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