共 52 条
- [51] ELECTRON-SPIN-RESONANCE STUDIES OF HEAVILY PHOSPHORUS-DOPED SILICON[J]. PHYSICAL REVIEW B, 1971, 3 (12): : 4232 - &UE, HMAEKAWA, S
- [52] VENGALIS BY, 1975, JETP LETT+, V22, P3
ELECTRON-STATES IN HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS
被引：35
作者：
SERNELIUS, BE
BERGGREN, KF
机构：
来源：
PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES
|
1981年
/
43卷
/
01期
关键词：
D O I：
10.1080/01418638108225805
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：115 / 148
页数：34
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