PRECISE EVALUATION OF OXYGEN MEASUREMENTS ON CZ-SILICON WAFERS

被引：13

作者：

GRAFF, K

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1983年 / 130卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2119956

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：1378 / 1381

页数：4

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共 3 条

[1] DETERMINATION OF PARTS PER BILLION OXYGEN IN SILICON THROUGH CALIBRATION OF IR-ABSORPTION AT 77 DEGREES KELVIN [J].

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