NATURE, ORIGIN AND EFFECT OF DISLOCATIONS IN EPITAXIAL SEMICONDUCTOR LAYERS

被引：65

作者：

BOOKER, GR

TITCHMARSH, JM

FLETCHER, J

DARBY, DB

HOCKLY, M

ALJASSIM, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(78)90470-0

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：407 / 425

页数：19

共 7 条

[1]

BOOKER GR, 1976, 6TH P EUR C EL MICR, V1, P198

DARBY, DB ;

BOOKER, GR .

[3]

DARBY DB, 1978, 9TH P INT C EL MICR, V1, P136

[4]

FLETCHER J, 1978, 9TH P INT C EL MICR, V1, P128

[5]

PETTIT HR, 1971, EMAG C P, P290

TITCHMARSH, JM ;

BOOKER, GR ;

HARDING, W ;

WIGHT, DR .

[7]

TITCHMARSH JM, 1976, 6TH P EUR C EL MICR, V1, P494