CHARACTERISTICS OF THE ENERGY-LOSS PROCESS FOR NON-EQUILIBRIUM CARRIERS IN HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS

被引：0

作者：

LIBENSON, BN

STUCHINSKII, GB

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1981年 / 15卷 / 12期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：1381 / 1384

页数：4

共 11 条

[1]

Abrikosov A. A., 1963, METHODS QUANTUM FIEL

[2]

BELL RL, 1973, NEGATIVE ELECTRON AF

[3]

BONCHBRUEVICH V, 1962, GREENS FUNCTION METH

[4]

CONWELL EM, 1967, SOLID STATE PHYS S, V9

[5]

LARKIN AI, 1960, SOV PHYS JETP-USSR, V10, P186

[6]

Libenson B. N., 1978, Soviet Physics - Solid State, V20, P34

[7] CHARGE MULTIPLICATION IN GAP P-N JUNCTIONS [J].

LOGAN, RA ;

WHITE, HG .

[8]

RUMYANTS.VV, 1966, SOV PHYS JETP-USSR, V22, P784

[9]

SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO

[10]

UKHANOV YI, 1977, OPTICAL PROPERTIES S, P330