HIGH-SPEED INP/INGAASP/INGAAS AVALANCHE PHOTODIODES GROWN BY CHEMICAL BEAM EPITAXY

被引：63

作者：

CAMPBELL, JC

TSANG, WT

QUA, GJ

JOHNSON, BC

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS | 1988年 / 24卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/3.151

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：496 / 500

页数：5

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共 24 条

[21] CHEMICAL BEAM EPITAXY OF INGAAS [J].

TSANG, WT .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1985, 58 (03) :1415-1418

[22] INGAAS/INP P-I-N PHOTODIODES GROWN BY CHEMICAL BEAM EPITAXY [J].

TSANG, WT ;

CAMPBELL, JC .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1986, 48 (21) :1416-1418

[23]

YAMADA J, 1982, IEEE J QUANTUM ELECT, V18, P1537, DOI 10.1109/TMTT.1982.1131286

[24]

YASUDA K, 1984, ELECTRON LETT, V20, P373