THRESHOLD ENERGY FOR ELECTRON-HOLE PAIR PRODUCTION IN A SEMICONDUCTOR

被引：7

作者：

CAMPHAUSEN, DL

HEARN, CJ

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS | 1972年 / 50卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssb.2220500259

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

收藏

页码：K139 / +

页数：1

相关论文

共 3 条

[1] QUANTUM EFFICIENCY IN INSB [J].

BEATTIE, AR .

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1962, 23 (AUG) :1049-&

[2] BAND STRUCTURE OF INDIUM ANTIMONIDE [J].

KANE, EO .

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1957, 1 (04) :249-261

[3] ELECTRON-HOLE PAIR PRODUCTION AND GUNN EFFECT IN INSB [J].

POROWSKI, S ;

PAUL, W ;

MCGRODDY, JC ;

NATHAN, MI ;

SMITH, JE .

SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1969, 7 (13) :905-&