HOT-ELECTRON EFFECTS IN QUASI-2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS

被引：0

作者：

MOORE, JS ^{[1
]}

DAS, P ^{[1
]}

机构：

[1] RENSSELAER POLYTECH INST,DEPT ELECT & SYST ENGN,TROY,NY 12181

来源：

BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1980年 / 25卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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