THE EFFECT OF DOPING ON THE FORMATION OF SWIRL DEFECTS IN DISLOCATION-FREE CZOCHRALSKI-GROWN SILICON-CRYSTALS

被引：104

作者：

DEKOCK, AJR

VANDEWIJGERT, WM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(80)90299-7

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：718 / 734

页数：17

共 32 条

[1]

Bailar JC., 1973, COMPREHENSIVE INORGA

[2] ENERGY LEVELS IN IRRADIATED GERMANIUM [J].

BLOUNT, EI .

CHIKAWA, J ;

SHIRAI, S .

[4]

CHIKAWA J, 1979, JAPAN J APPL PHY S18, V18, P153

[5]

de Kock A. J. R., 1973, Journal of Applied Physics, V44, P2816, DOI 10.1063/1.1662656

DEKOCK, AJR ;

STACY, WT ;

VANDEWIJGERT, WM .

[7]

DEKOCK AJR, 1973, PHILIPS RES REP S1

[8]

DEKOCK AJR, 1973, SEMICONDUCTOR SILICO, P83

[9]

DEKOCK AJR, 1977, SEMICONDUCTOR SILICO, P508

[10]

DEKOCK AJR, 1977, CRYSTAL GROWTH MAT, P622