PALLADIUM-SILICIDE SCHOTTKY-BARRIER IR-CCD FOR SWIR APPLICATIONS AT INTERMEDIATE TEMPERATURES

被引：26

作者：

ELABD, H

VILLANI, T

KOSONOCKY, W

机构：

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1982.25490

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：89 / 90

页数：2

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共 4 条

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