VERY-HIGH-SPEED BACK-ILLUMINATED INGAAS-INP PIN PUNCH-THROUGH PHOTO-DIODES

被引：71
作者：
LEE, TP
BURRUS, CA
OGAWA, K
DENTAI, AG
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 12期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19810299
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：431 / 432
页数：2
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共 4 条
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LEE, TP ;
BURRUS, CA ;
DENTAI, AG ;
OGAWA, K .
ELECTRONICS LETTERS, 1980, 16 (04) :155-156
[2]   INGAAS-INP P-I-N PHOTO-DIODES FOR LIGHTWAVE COMMUNICATIONS AT THE 0.95-1.65 MU-M WAVELENGTH [J].
LEE, TP ;
BURRUS, CA ;
DENTAI, AG .
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 1981, 17 (02) :232-238
[3]  
RUNGE PK, UNPUBLISHED
[4]  
STONE J, 1980, 11TH INT QUANT EL C
1