REACTIVE ION ETCHING DAMAGE TO GAAS/ALXGA1-XAS HETEROSTRUCTURES

被引：0

作者：

KNOEDLER, CM ^{[1
]}

OSTERLING, L ^{[1
]}

SHTRIKMAN, H ^{[1
]}

HEIBLUM, M ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1988年 / 17卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：S16 / S17

页数：2

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