REDUCED TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THRESHOLD OF (AL,GA)AS LASERS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：11
作者：
PAWLIK, JR
TSANG, WT
NASH, FR
HARTMAN, RL
SWAMINATHAN, V
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1981年 / 38卷 / 12期
关键词：
D O I：
10.1063/1.92240
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页数：3
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