VACANCY CREATION BY HELIUM TRAPPING AT SUBSTITUTIONAL KRYPTON IN TUNGSTEN

被引：47

作者：

VANVEEN, A

CASPERS, LM

KORNELSEN, EV

FASTENAU, R

VANGORKUM, A

WARNAAR, A

机构：

[1] DELFT UNIV TECHNOL,INTERUNIV REACTOR INST,DEPT APPL PHYS,DELFT,NETHERLANDS

[2] NATL RES COUNCIL CANADA,ELEKTR PHYS SECT,OTTAWA,ONTARIO,CANADA

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1977年 / 40卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210400131

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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