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COMPARISON OF BACKSCATTERING PARAMETERS USING HIGH-ENERGY OXYGEN AND HELIUM IONS
被引:26
作者
:
PETERSSON, S
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机构:
INST TECHNOL, 75121 UPPSALA, SWEDEN
PETERSSON, S
TOVE, PA
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机构:
INST TECHNOL, 75121 UPPSALA, SWEDEN
TOVE, PA
MEYER, O
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机构:
INST TECHNOL, 75121 UPPSALA, SWEDEN
MEYER, O
SUNDQVIST, B
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机构:
INST TECHNOL, 75121 UPPSALA, SWEDEN
SUNDQVIST, B
JOHANSSON, A
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机构:
INST TECHNOL, 75121 UPPSALA, SWEDEN
JOHANSSON, A
机构
:
[1]
INST TECHNOL, 75121 UPPSALA, SWEDEN
[2]
TANDEM ACCELERATOR LAB, 75121 UPPSALA, SWEDEN
来源
:
THIN SOLID FILMS
|
1973年
/ 19卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0040-6090(73)90032-1
中图分类号
:
T [工业技术];
学科分类号
:
08 ;
摘要
:
引用
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页码:157 / 164
页数:8
相关论文
共 7 条
[1]
PULSE HEIGHT DEFECT AND ENERGY DISPERSION IN SEMICONDUCTOR DETECTORS
HAINES, EL
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HAINES, EL
WHITEHEAD, AB
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WHITEHEAD, AB
[J].
REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS,
1966,
37
(02)
: 190
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[2]
LINDHARD J, 1963, MAT FYS MEDD DAN VID, V33, P29
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ANALYSIS OF AMORPHOUS LAYERS ON SILICON BY BACKSCATTERING AND CHANNELING EFFECT MEASUREMENTS
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MAYER, JW
[J].
SURFACE SCIENCE,
1970,
22
(02)
: 263
-
&
[4]
Northcliffe L. S., 1970, NUCL DATA A, V7, P233
[5]
PETERSSON S, 1973, UPTEC7328R
[6]
SIFFERT P, 1968, SEMICONDUCTOR DETECT
[7]
ZIEGLER JF, RC4288 IBM RES
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[1]
PULSE HEIGHT DEFECT AND ENERGY DISPERSION IN SEMICONDUCTOR DETECTORS
HAINES, EL
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HAINES, EL
WHITEHEAD, AB
论文数:
0
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0
WHITEHEAD, AB
[J].
REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS,
1966,
37
(02)
: 190
-
+
[2]
LINDHARD J, 1963, MAT FYS MEDD DAN VID, V33, P29
[3]
ANALYSIS OF AMORPHOUS LAYERS ON SILICON BY BACKSCATTERING AND CHANNELING EFFECT MEASUREMENTS
MEYER, O
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MEYER, O
GYULAI, J
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GYULAI, J
MAYER, JW
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MAYER, JW
[J].
SURFACE SCIENCE,
1970,
22
(02)
: 263
-
&
[4]
Northcliffe L. S., 1970, NUCL DATA A, V7, P233
[5]
PETERSSON S, 1973, UPTEC7328R
[6]
SIFFERT P, 1968, SEMICONDUCTOR DETECT
[7]
ZIEGLER JF, RC4288 IBM RES
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