ELECTRON DIFFUSION LENGTHS IN GE-DOPED GAALAS

被引：15

作者：

KAWAKAMI, T ^{[1
]}

SUGIYAMA, K ^{[1
]}

机构：

[1] MUSASHINO ELECTR COMMUNI LAB,MUSASHINO,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.12.151

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：151 / 152

页数：2

共 3 条

HAYASHI, I ;

PANISH, MB .

SUGIYAMA, K ;

KAWAKAMI, T .

[3] PHOTOLUMINESCENCE OF GE-DOPED GAXAL1-XAS [J].

SUGIYAMA, K ;

SAITO, H .