A DOUBLE-DIFFUSED, SILICON, HIGH-FREQUENCY SWITCHING TRANSISTOR PRODUCED BY OXIDE MASKING TECHNIQUES

被引:0
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作者
ASCHNER, JF
HARE, WFJ
KLEIMACK, JJ
BITTMAN, CA
机构
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
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页码:C252 / C252
页数:1
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