EFFECT OF ELECTRON IRRADIATION ON PARAMETERS OF GALLIUM ARSENIDE PULSE DIODES

被引：0
作者：
BRUDNYI, VN
VILISOV, AA
VYATKIN, AP
KRIVOV, MA
MALYANOV, SV
机构：
来源：
IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA | 1970年 / 04期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
收藏
页码：109 / &
相关论文
共 6 条
  • [1] EASLEY J, 1962, NUCLEONICS, V20, P52
  • [2] KRIVOV MA, 1966, IZV VUZ FIZ, P132
  • [3] NASLEDOV DN, 1960, FIZ TVERD TELA, V2, P11
  • [4] CARRIER GENERATION AND RECOMBINATION IN P-N JUNCTIONS AND P-N JUNCTION CHARACTERISTICS
    SAH, CT
    NOYCE, RN
    SHOCKLEY, W
    [J]. PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1957, 45 (09): : 1228 - 1243
  • [5] Stafeev V. I., 1958, ZH TEKH FIZ, V28, P1631
  • [6] VILISOV AA, 1966, IZV VUZOV SSSR F, P25
1