OXIDATION-ENHANCED DIFFUSION OF BORON AND PHOSPHORUS IN SILICON

被引：0

作者：

TANIGUCHI, K ^{[1
]}

KUROSAWA, K ^{[1
]}

KASHIWAGI, M ^{[1
]}

机构：

[1] NEC TOSHIBA INFORMAT SYST INC,KAWASAKI,KANAGAWA 210,JAPAN

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1979年 / 126卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C122 / C122

页数：1

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