IMPURITY CENTER IONIZATION CAUSED BY AN ALTERNATING ELECTRIC-FIELD IN NARROW-BAND SEMICONDUCTORS

被引：0
作者：
KRYUCHKOV, SV
SYRODOEV, GA
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1988年 / 22卷 / 09期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
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页码：1069 / 1070
页数：2
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