THEORY OF THE EFFECT OF A MAGNETIC FIELD ON THE ABSORPTION EDGE IN SEMICONDUCTORS

被引:48
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作者
ELLIOTT, RJ
MCLEAN, TP
MACFARLANE, GG
机构
来源
关键词
D O I
10.1088/0370-1328/72/4/310
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
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页数:13
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