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DEFECTS AND DIFFUSION IN SILICON, GERMANIUM, AND GALLIUM-ARSENIDE
被引：0
作者：
GOESELE, UM
[1
]
TAN, TY
[1
]
机构：
[1] DUKE UNIV,SCH ENGN,DURHAM,NC 27706
来源：
JOURNAL OF METALS
|
1987年
/
39卷
/
07期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TF [冶金工业];
学科分类号：
0806 ;
摘要：
引用
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页码：A6 / A6
页数：1
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