SEGREGATION OF ARSENIC TO THE GRAIN-BOUNDARIES IN POLYCRYSTALLINE SILICON

被引：35

作者：

SWAMINATHAN, B

DEMOULIN, E

SIGMON, TW

DUTTON, RW

REIF, R

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2129380

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2227 / 2229

页数：3

共 5 条

[1]

Chu W.K., 1978, BACKSCATTERING SPECT, V1st ed., DOI 10.1016/B978-0-12-173850-1.50008-9

[2] CHEMICAL VAPOR DEPOSITED POLYCRYSTALLINE SILICON. [J].

Cowher, M.E. ;

Sedgwick, T.O. .

[3] HALL MOBILITY IN CHEMICALLY DEPOSITED POLYCRYSTALLINE SILICON [J].

KAMINS, TI .

[4]

MANDURAH MM, 1979, OCT EL SOC M LOS ANG

MONKOWSKI, JR ;

BLOEM, J ;

GILING, LJ ;

GRAEF, MWM .