CHARACTERIZATION OF DEFECTS IN SILICON BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY AFTER CMOS AND BIPOLAR PROCESSING

被引：0

作者：

STEEDS, JW

JOHNSON, F

SIMPSON, MB

AUGUSTUS, PD

机构：

来源：

CHARACTERIZATION OF THE STRUCTURE AND CHEMISTRY OF DEFECTS IN MATERIALS | 1989年 / 138卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页数：4