LINEWIDTH AND OFFSET FREQUENCY LOCKING OF EXTERNAL CAVITY GAALAS LASERS

被引：48

作者：

HARRISON, J ^{[1
]}

MOORADIAN, A ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/3.29240

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1152 / 1155

页数：4

共 6 条

[1]

DAHAMANI B, 1987, OPT LETT, V12, P876

[2] FUNDAMENTAL LINE BROADENING OF SINGLE-MODE (GAAL)AS DIODE-LASERS [J].

FLEMING, MW ;

MOORADIAN, A .

[3]

HARRISON J, 1987, THESIS MIT CAMBRIDGE, P113

[4] THEORY OF THE LINEWIDTH OF SEMICONDUCTOR-LASERS [J].

HENRY, CH .

SAITO, S ;

NILSSON, O ;

YAMAMOTO, Y .

[6] OPTICAL PHASE-LOCKED LOOP USING SEMICONDUCTOR-LASER DIODES [J].

STEELE, RC .