MODEL ON THE MECHANISM OF ROOM-TEMPERATURE INTERFACIAL REACTION IN VARIOUS METAL-SEMICONDUCTOR COUPLES

被引：0

作者：

HIRAKI, A ^{[1
]}

OKIJI, A ^{[1
]}

机构：

[1] OSAKA UNIV,FAC ENGN,SUITA,OSAKA 565,JAPAN

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1979年 / 126卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

收藏

页码：C344 / C344

页数：1

相关论文

共 2 条

[1] ROOM-TEMPERATURE INTERFACIAL REACTION IN AU-SEMICONDUCTOR SYSTEMS [J].

HIRAKI, A ;

SHUTO, K ;

KIM, S ;

KAMMURA, W ;

IWAMI, M .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1977, 31 (09) :611-612

[2]

HIRAKI A, SURF SCI