EXACT FORMULATION OF MOS C-V PROFILING

被引：4

作者：

BARTELINK, DJ ^{[1
]}

TREMAIN, RE ^{[1
]}

机构：

[1] XEROX CORP,PALO ALTO RES CTR,PALO ALTO,CA 94304

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1979.19708

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1831 / 1831

页数：1

共 3 条

[1] INFLUENCE OF DEBYE LENGTH ON C-V MEASUREMENTS OF DOPING PROFILES [J].

JOHNSON, WC ;

PANOUSIS, PT .

KENNEDY, DP ;

OBRIEN, RR .

ZIEGLER, K ;

KLAUSMANN, E ;

KAR, S .