LINE BROADENING OF AN IMPURITY SPECTRUM IN SILICON

被引：14

作者：

SAMPSON, D

MARGENAU, H

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1956年 / 103卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.103.879

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：879 / 885

页数：7

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共 14 条

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SAMPSON D, THESIS

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