MODEL OF RESIDUAL CONDUCTIVITY IN SEMICONDUCTORS AND ITS PARAMETERS IN CASE OF CDS-AG-CL

被引：0
作者：
SHEINKMAN, MK
KHVOSTOV, VA
MARKEVIC.IV
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1972年 / 5卷 / 10期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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页码：1654 / +
页数：1
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