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THE GROWTH OF HIGH-QUALITY INGAAS AND INALAS BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
被引:0
作者
:
BROWN, AS
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0
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0
机构:
HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265
BROWN, AS
DELANEY, MJ
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机构:
HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265
DELANEY, MJ
GRIEM, T
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HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265
GRIEM, T
HENIGE, J
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机构:
HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265
HENIGE, J
机构
:
[1]
HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265
[2]
CORNELL UNIV,ITHACA,NY 14853
来源
:
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
|
1987年
/ 16卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:A22 / A23
页数:2
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