ION-BEAM DEPOSITION OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON FILMS

被引:4
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作者
KASDAN, A [1 ]
GOSHORN, DP [1 ]
LANFORD, WA [1 ]
机构
[1] SUNY ALBANY,ALBANY,NY 12222
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1982年 / 20卷 / 03期
关键词
D O I
10.1116/1.571287
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:305 / 306
页数:2
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