THE EFFECT OF IMPLANTATION CONDITIONS AND ACTIVATE ANNEALING ON THE STRUCTURE OF SILICON-DOPED AND SELENIUM-DOPED GALLIUM-ARSENIDE PLATES

被引：0

作者：

BUBLIK, VT ^{[1
]}

EVGENEV, SB ^{[1
]}

KALININ, AA ^{[1
]}

MILVIDSKII, MG ^{[1
]}

机构：

[1] MOSCOW STATE ACAD FINE CHEM TECHNOL,MOSCOW,RUSSIA

来源：

KRISTALLOGRAFIYA | 1995年 / 40卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：128 / 136

页数：9

共 11 条

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