CONCERNING PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF N-TYPE SILICON IRRADIATED BY FAST ELECTRONS

被引：0

作者：

TKACHEV, VD

PLOTNIKOV, AF

VAVILOV, VS

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS-SOLID STATE | 1964年 / 5卷 / 07期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：1332 / 1335

页数：4

共 7 条

[1] PARAMAGNETIC RESONANCE IN ELECTRON IRRADIATED SILICON [J].

BEMSKI, G .

[2]

MALOVETSKAYA VM, 1962, FIZ TVERD TELA, V4, P1372

[3]

PLOTNIKOV AF, 1962, PRIB TEKH EKSP, P183

[4]

PLOTNIKOV AF, 1961, FIZ TVERD TELA, V3, P3253

[5]

VAVILOV VS, 1962, FIZ TVERD TELA, V4, P3446

[6]

VAVILOV VS, 1961, FIZ TVERD TELA, V3, P2455

[7] SPIN RESONANCE IN ELECTRON IRRADIATED SILICON [J].

WATKINS, GD ;

CORBETT, JW ;

WALKER, RM .