ELECTRICAL PROPERTIES AND SIMPLIFIED THEORY OF A PARTICULAR JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR OPERATING WITH A FORWARD GATE-SOURCE BIAS

被引：6

作者：

ESTEVE, D ^{[1
]}

EZZELARA.M ^{[1
]}

机构：

[1] CNRS,LAB AUTOM & ANAL SYST,31055 TOULOUSE,FRANCE

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1973年 / 9卷 / 15期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19730245

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：339 / 341

页数：3

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共 2 条

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