INTERFACE CHARGE AND BULK TRAPPED CHARGE IN SIO2 FILMS

被引:0
作者
OTA, Y [1 ]
BUTLER, SR [1 ]
机构
[1] LEHIGH UNIV,BETHLEHEM,PA
来源
BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1973年 / 18卷 / 04期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
收藏
页码:584 / 584
页数:1
相关论文
共 1 条
[1]   ELECTRON TRAPPING LEVELS IN SILICON DIOXIDE THERMALLY GROWN ON SILICON [J].
THOMAS, JH ;
FEIGL, FJ .
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1972, 33 (12) :2197-+