ELECTRICAL-CONDUCTION THROUGH SILICON DIOXIDE DEFECTS

被引：0

作者：

ECCLESTON, W ^{[1
]}

BAGLEE, DA ^{[1
]}

ZAKZOUK, AK ^{[1
]}

GILL, RS ^{[1
]}

STUART, RA ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV LIVERPOOL,DEPT ELECT ENGN & ELECTR,LIVERPOOL L69 3BX,LANCASHIRE,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页数：1