ION-IMPLANTED HIGH-FREQUENCY MOS TRANSISTORS

被引：0
作者：
SHANNON, JM
机构：
来源：
PHILIPS TECHNICAL REVIEW | 1970年 / 31卷 / 7-9期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：267 / &
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共 7 条
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