INTERBAND ABSORPTION OF LIGHT IN STRONGLY DOPED SEMICONDUCTORS

被引:0
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作者
SHKLOVSKII, BI
EFROS, AL
机构
来源
SOVIET PHYSICS JETP-USSR | 1971年 / 32卷 / 04期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
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